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5月21日，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了10,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80 10,000小时测试数据。
https://www.alighting.cn/news/20140522/110824.htm2014/5/22 10:11:13
1月8日，国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行，由南昌大学、晶能光电(江西)有限公司、中节能晶和照明有限公司共同完成的“硅衬底高光效氮化镓基蓝色发光二极管项目”荣获国家技
https://www.alighting.cn/news/20160108/136207.htm2016/1/8 12:00:44
led产业在过去近10年的发展突飞猛进，led光源器件的性能呈台阶式上升且成本在不断下降，大部分光源领域基本上都被led所取代。那么，目前硅衬底led技术、市场现状以及未来发展趋
https://www.alighting.cn/news/20181227/159634.htm2018/12/27 10:15:52
讲。为让网友深入了解晶能光电发展近况以及未来战略布局，新世纪led网记者独家专访了晶能光电有限公司硅衬底led研发副总裁孙钱博
https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
本资料来源于2013新世纪led高峰论坛，是由晶能光电（江西）有限公司的孙钱/博士、硅外延研发副总裁主讲的关于介绍《硅衬底上氮化镓基垂直结构大功率led的研发及产业化》的讲义资
https://www.alighting.cn/2013/6/18 15:53:07
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
cree和纽约研究，经济进步，技术，工程与科学中心(又称纽约州creates)上周联手在奥尔巴尼纽约州立大学理工学院完成了第一批碳化硅测试晶片。新工厂将成为世界上第一个生产20
https://www.alighting.cn/news/20191101/164814.htm2019/11/1 9:56:26
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
