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日本三菱化学与国立材料科学研究所共同发出声明，宣布有关控诉美国光电子材料研究生产商英特美(intematix)，侵犯其红色荧光粉在韩国的专利权之诉讼， 韩国专利法院日前驳回英特
https://www.alighting.cn/news/20140619/111204.htm2014/6/19 10:52:48
北美战略分析部门一负责人在谈到2013-2023年的氮化镓发展趋势中称，10年期间，相关的半导体和其他器件市场将从12亿美元上涨到21亿美元，其中氮化镓的技术逐渐成熟，复合增长
https://www.alighting.cn/news/20141224/86692.htm2014/12/24 9:39:39
东芝在2012年12月中旬宣布已经开发出一种在200mm硅晶圆上制造氮化镓led的工艺，通过采用新型硅上氮化镓(gan-on-si)技术来生产led芯片，并且已准备开始量产。公
https://www.alighting.cn/news/20130105/112463.htm2013/1/5 10:28:37
中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
德国欧司朗光电半导体宣布，目前开发出了驱动电流为350ma时发光效率高达119lm/w的红色led。该产品采用了该公司高功率红色led芯片“thinfilm”中的技术，发光效率
https://www.alighting.cn/news/20100727/120075.htm2010/7/27 0:00:00
gan是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，gan具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，gan晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
附件为论坛嘉宾tjacomiddel的演讲内容《物联网下的照明行业》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20170621/151330.htm2017/6/21 16:52:19
aixtron爱思强股份有限公司宣布，中国江苏trifortune电子科技有限公司已订购一套aixg5ht系统，用以研发基于氮化镓的高亮度led。
https://www.alighting.cn/news/20140409/114790.htm2014/4/9 9:48:34
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
