站内搜索
研究发现，在合适应力下，外量子效率可提高两倍以上，达到5.92%。iv曲线在正负偏压下的非对称变化表明器件性能的提高主要由具有极性的压电效应引起，而不是由非极性的压阻和接触效应引起
https://www.alighting.cn/2013/8/13 10:38:53
本文通过使用a1n和al203这两种陶瓷基板作为大功率led的封装基板，主要研究了陶瓷基板作为封装基板在在改善散热方面的优势、基板工作时温度、光效和电流的关系，并和铝基覆铜板作
https://www.alighting.cn/2013/7/26 13:43:47
led照明设备具有高效照明，低耗电等特点，但作为高亮度的led元件本身却处于异常的高温状态，因此做好led照明设备过热保护十分重要。本文介绍的用陶瓷ptc热敏电阻来简单实现le
https://www.alighting.cn/resource/20130724/125441.htm2013/7/24 11:36:15
目前，陶瓷材料主要用于led封装芯片的热沉材料、电路基板材料和灯具散热器材料。高热导塑料凭借着其优良的电绝缘性和低密度值，高调地进入了散热材料市场，现阶段由于价格高，应用率不大，
https://www.alighting.cn/resource/2013/7/23/101820_43.htm2013/7/23 10:18:20
本文通过对led封装技术之陶瓷cob技术的解释，为我们解释了cob的方案流程，以及分析它的优点和缺点，同时也针对出它的缺陷提出合理的解决方案，从而更好地利用起来。
https://www.alighting.cn/2013/7/8 16:55:01
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
层(dbr)结构， 改变led 基底几何外形来改变光在led 内部反射的路径和表面粗化处理以及新近的光子晶体技术和全息技术等。并对纳米压印与su8 相结合技术在提高led外量子光效益方
https://www.alighting.cn/resource/20130531/125543.htm2013/5/31 11:31:30
、电解电容与陶瓷电容;4、功率管之三极管与mos管，集成与外置;5、设计与焊接工艺;6、高温与常温老
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/22/161242_91.htm2013/5/22 16:12:42
主要是以氧化镓为原料,通过气相沉积法,制备出gan纳米线和纳米带.通过x-射线衍射(xrd),扫面电镜(sem)和高分辨透射电镜(hrtem)等测试手段对其形貌进行了表征和分析
https://www.alighting.cn/resource/20130521/125588.htm2013/5/21 10:42:04
