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tft-lcd结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。
https://www.alighting.cn/resource/2007912/V12781.htm2007/9/12 13:59:17
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
通过计算机模拟,对蓝宝石衬底上制备的增透保护薄膜的厚度均匀性进行了设计及优化.采用旋转臂雨蚀测试方法对蓝宝石验证片的抗雨蚀性能进行了测试.模拟结果显示:头罩外表面制备的sio2薄
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127208.htm2011/9/2 17:39:18
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
有机电致发光二极管(oled)是一种全新的显示技术，其显示质量可与薄膜晶体管有源驱动液晶显示器(tfr-lcd)相比拟，而价格远比其低廉，它将对广泛使用的lcd技术发起挑战。
https://www.alighting.cn/2014/7/30 10:21:32
介绍了在蓝宝石 /氮化铝复合衬底上外延生长碳化硅薄膜材料的工艺技术 .通过在蓝宝石衬底上预淀积一层薄的氮化铝缓冲层使碳化硅薄膜的成核和黏附性得到很大的改善 .用多种x光衍射方法对
https://www.alighting.cn/resource/20110726/127393.htm2011/7/26 18:35:12
内容概要：led外延芯片的发展现状；led核心技术的发展趋势；垂直薄膜型led芯片研发现状。
https://www.alighting.cn/2014/2/28 11:00:27
异，可应用于高亮度薄膜led的制造
https://www.alighting.cn/resource/20111114/126897.htm2011/11/14 12:49:35
采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44
有机发光器件(oled)诞生至今,封装方式一直是提高其寿命和稳定性的重要因素之一,也是当前研究的热点。从最初的后盖式封装发展到现在的薄膜封装,其寿命和稳定性也随之提高,人们幻
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127242.htm2011/8/29 15:34:10
