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本文的主要研究内容涉及图形化衬底对gan基led发光二极管光电性能的影响。实验中制作了表面图形直径和周期不同的gan图形衬底。再利用mocvd材料生长设备侧向外延生长了gan
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
采用化学气相沉积(cvd)法在镀cr(20nm)的玻璃衬底上,低温制备了zno纳米线阵列。利用扫描电子显微镜(sem)和x射线衍射(xrd)对样品的表面形貌和微结构进行了分析表
https://www.alighting.cn/resource/20130606/125528.htm2013/6/6 11:15:19
图形化衬底(pss)技术可以有效地减少外延材料的位错和缺陷，在氮化物器件制备中得到了广泛的应用。但是由于蓝宝石具有稳定的化学和物理性质，使得很难进行刻蚀和图形化制作。
https://www.alighting.cn/2012/4/9 13:18:31
在si衬底gan 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
在si衬底gan基垂直结构led的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
采用极性电气石(0001)晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米zno薄膜,xrd和raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡
https://www.alighting.cn/resource/20130603/125542.htm2013/6/3 10:41:19
为了降低si衬底gan基led的开启电压及工作电压，本文提出了一种新型通孔结构发光二级管，并提出一种电路有限元模型，分析此结构发光二极管的注入电流在有源区内的分布情况。
https://www.alighting.cn/2013/8/20 13:57:10
利用低压金属有机化学汽相淀积(mocvd)设备在ge衬底上生长gaas外延层。通过改变gaas过渡层的生长温度对gaas外延层进行了表征,利用扫描电镜(sem)和x射线衍射仪研
https://www.alighting.cn/2013/5/8 14:41:44
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/2013/4/28 10:30:13
