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lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan致发谱(pl)峰全半宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

鸿利推替换传统大功率器件的led封装技术

鸿利指出,传统器件结构复杂、成本较,尤其散热效率相对较低,而这种新型结构的功率型器件具有散热效率、结构简单、成本较低的优点,的散热通道集合了横向散热技术和垂直散热技术,并利用

  https://www.alighting.cn/news/20120401/113742.htm2012/4/1 14:46:08

led封装质量控制技巧

易的方法。此外荧封装方法决定白led的发效率与色调,因此接着将根据白化的观点,深入探讨led与荧体的封装

  https://www.alighting.cn/resource/20130115/126164.htm2013/1/15 10:16:04

独特的白led封装系统

本文成功十分密度可靠的白led封装使用阶的可穿透的环氧化物树脂以及vpestm技术。

  https://www.alighting.cn/resource/2012/10/25/134317_89.htm2012/10/25 13:43:17

三星功率led效创新记录 达到173lm/w

三星功率led封装效实现业界领先的性能水平,lh351b效创造一个新的记录,达到173lm/w(85℃,350ma),相比旧版本性能提了8%。这一新功能扩展使得三星在

  https://www.alighting.cn/news/20160119/136531.htm2016/1/19 9:42:18

芯片强势来袭,迈进无封装时代

近几年,led产品不断朝简化制程、降低成本的方向发展,因此覆晶技术(倒装flip-chip)与其所衍生的无封装led已成为各厂竞相投入的新制程领域,而白芯片正是在此环境下顺势而

  https://www.alighting.cn/news/20140617/87154.htm2014/6/17 16:45:08

麻省理工研发出新量子点led 可覆盖所有可见

美国麻省理工的研究员演示了一个用来产生有机量子点发二极管器件的通用结构,发射谱在整个可视波长范围内。这种量子点led(qd-led)有望用在rgb平板显示(rg

  https://www.alighting.cn/resource/20090701/128711.htm2009/7/1 0:00:00

功率led封装基板技术

长久以来显示应用一直是led 发组件主要诉求,并不要求led 散热性,因此led 大多直接封装于传统树脂系基板,然而2000 年以后随着led 辉度化与效率化发展,尤

  https://www.alighting.cn/resource/20140504/124611.htm2014/5/4 11:08:08

cob封装的测试解决方案探讨

以cob(chip on board)方式封装的led器件以其特有的优势发展迅速。这种集成封装工艺已经拓展出包括mcob、mlcob、cof、commb等多种形式,无论是效还

  https://www.alighting.cn/2014/1/2 0:15:48

量子点led还原真实色彩,市场潜力巨大

量子点led在照明显示领域中的应用方案包括两个方面:基于量子致发特性的量子点背源技术(qd-blu,即量子点白led)和基于量子点电致发特性的量子点发二极管技

  https://www.alighting.cn/news/20161020/145340.htm2016/10/20 9:51:12

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