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阿尔卑斯电气开发出了采用光子晶体结构、将光通量提高了约42％的GaN类LED，并在“alps show 2008”（2008年9月25～26日）上展出。发光波长为510.7n
https://www.alighting.cn/news/20081006/119664.htm2008/10/6 0:00:00
日前，土耳其伊斯坦布尔koc大学的研究人员用悬浮在液体中的量子点制造出相对高效的LED。研究人员指出，量子点从液体中取出然后固定成固体形式时，量子点发射的效率会降低。
https://www.alighting.cn/news/20180727/157805.htm2018/7/27 8:53:04
本文通过普通光刻技术和湿法腐蚀技术,实现ito 表面粗化,有效地提高了LED芯片的输出光功率。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 10:18:00
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
ccs-mocvd系统生长了inGaN/GaN mqw蓝光LED外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长GaN缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
日前，比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap：industrial affiliation program)，目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本，采用大直径的硅
https://www.alighting.cn/news/20090813/93153.htm2009/8/13 0:00:00
乾照光电和武汉大学研究人员表示，他们在4英寸p型硅衬底上开发出高功率，可靠的基于GaN的垂直LED(vLED)。他们使用具有sio2电流阻挡层的优化金属化方案实现了这一目标。此
https://www.alighting.cn/news/20191220/165785.htm2019/12/20 9:23:05
附件为论坛嘉宾的演讲内容《高光效GaN基LED芯片技术研究进展》pdf，欢迎大家下载学习!
https://www.alighting.cn/resource/20160615/141191.htm2016/6/15 14:06:06
针对于目前蓝光LED所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题，蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配，直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下，大部分光被限制在LED芯片
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
对inGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光LED老化到24小时隧穿电流最小，绿光LED到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
