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led蓝宝石基板

蓝宝石(al2o3,英文名为sapphire)为製成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质,GaN可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi

  https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22

【led照明第二幕】(四)2mm见方芯片实现大光通量,光线“比白色还白”

GaN基板主要有两大效果。一是(3)通过为led芯片加载大电流密度,大幅提高亮度。二是(4)确保高显色指数,实现眩光少、保护眼睛的光。

  https://www.alighting.cn/news/20140701/97428.htm2014/7/1 9:44:39

【专业术语】外延生长(epitaxial growth)

外延片生长是指:在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。

  https://www.alighting.cn/resource/20101231/128112.htm2010/12/31 10:57:06

led外延片介绍以及辨别外延片质量方法

外延生长的基本原理是:在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生

  https://www.alighting.cn/resource/20110428/127684.htm2011/4/28 11:47:30

蓝宝石衬底的图形化技术在GaN基led上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题,蓝宝石和GaN存在着17%的晶格不匹配,直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下,大部分光被限制在led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

两步镀膜ti/al/ti/au的n型GaN欧姆接触研究

报道了一种可靠稳定且低接触电阻的n型GaN欧姆接触。首先在掺硅的n型GaN(3×1018cm-3)蒸镀ti(30nm)/al(500nm),然后在氮气环境530℃合金化3mi

  https://www.alighting.cn/resource/20130924/125296.htm2013/9/24 13:44:54

GaN外延膜的红外椭偏光谱研究

本文通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子震荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率。

  https://www.alighting.cn/2015/3/20 10:15:14

led照明灯mocvd外延生长技术

一份出自晶能光电公司的关于介绍《led照明灯mocvd外延生长技术》的讲义资料,分享了衬底材料的选择,以及外延技术的发展趋势等内容,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/7/26 10:57:01

北京大学张国义教授:《GaN同质外延和竖直结构大功率led》

光粉的白光发光二极管研究》的报告,通过例举学术界的多项研究,向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介

  https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05

山东大学晶体材料研究所王成新博士:《大功率GaN led技术》

2011年6月11日,“亚洲led照明高峰论坛 -- 外延芯片技术与工艺和外延设备和材料”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自山东大学晶体材料研究所特聘专家王成新博

  https://www.alighting.cn/news/20110612/109070.htm2011/6/12 17:31:55

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