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研究了不同能量的电子束辐照对 GaN 基发光二极管(light emitting diode，led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对 GaN 基 le
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
透过提高效率来减少功耗具有多项优势，首先，最明显的好处是降低运营成本;同时，更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度，那么无线业者在因
https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12
https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01
正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
术(metalbonding)，将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能
https://www.alighting.cn/resource/20140716/124444.htm2014/7/16 9:52:01
采取蒙特卡罗光线追踪方法，模拟GaN基倒装led芯片的光提取效率，比较了蓝宝石衬底剥离前后，蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化，并对粗化微元结构和尺寸
https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
大功率led 得以广泛应用，主要由于其寿命长、体积小、电转化效率以及高色温等特点。但是在led 的推广应用中，高效稳定的散热问题成为了重要阻碍。本文着重对大功率led 的散热问题进
https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:16:07
