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1991年，日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上sicled的10倍，外量子效率约为0．18％。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
域的高水平技术和经验与东芝的半导体量产技术融合在一起，从而扩充白色led产品的产品线，同时扩大量产规模、强化竞争力。东芝表示，将充分运用此次收购的资产，加快GaN功率半导体的开发和产
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/4/29/315893.html2013/4/29 8:55:24
led制作流程分为两大部分。1、在衬底上制作氮化镓（GaN）基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之
http://blog.alighting.cn/mule23/archive/2008/12/2/9371.html2008/12/2 14:14:00
衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - n型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - p型GaN层生长 - 退火 - 检测（光荧光、x射线） - 外延片 外延片- 设计、加工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120508.html2010/12/13 22:43:00
p）的研发项目里，imec与其合作伙伴共同开发了在200毫米硅晶片上生长GaN/alGaN的技术。借助这项新技术，GaN mishemts（ metal-insulato
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188291.html2011/6/4 14:34:00
3） ·硅 (si) 碳化硅（sic）[/url] 蓝宝石衬底 通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石衬底的生产技术成熟、器
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00
白色发光二极管 利用GaN(氮化镓)系半导体的白色发光二极管，做为新世代固态照明灯源是历经无数的转折，十年前包含产官学研界几乎未曾将半导体白色发光二极管纳入考量，虽然有很多研究人
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00
胶的选择 根据折射定律，光线从光密介质入射到光疏介质时，当入射角达到一定值，即大于等于临界角时，会发生全发射。以GaN蓝色芯片来说，GaN材料的折射率是2.3，当光线从晶体内部射
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
