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外(IR)或者绿色“干型”激光器产生许多的热能,相应的也给用于hb-led散热片的软金属带来热破坏。这些金属变为等离子体状态后很难轻易散开,它们残留在切口,形成毛刺或者重铸层,妨碍了模
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
流。随着发光二极管性能的提高，反向漏电流会越来越小。IR越小越好,产生原因为电子的不规则移动。 IR产生主要原因： 1、晶片本身品质问题。图一、图二为IR不良品送晶片供
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127048.html2011/1/12 16:46:00
2、银胶点的太多，严重时会导致短路。 3、静电击伤。4.焊线压力控制不当，造成晶片内崩导致IR升高。 解决方案： 1、银胶胶量需控制在晶片高度的1/3~1/
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127049.html2011/1/12 16:46:00
”国际整流器公司（IR）led部门经理peter b.green表示。 “其它阻碍因素涉及与电灯泡相比的光源性能，包括可调光能力、色温、或led发射光的白度、相对电灯泡的发光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127000.html2011/1/12 0:47:00
后，正向电流随电压迅速增加，发光。由v-i曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR10μa以
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126908.html2011/1/11 0:45:00
压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。 d、逆向电压（vr）：施加在晶片上的反向电压。 e、逆向电流（IR）：是指晶片在施加反向电压后，所产生的一个漏电流。此电流越小越
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120887.html2010/12/14 21:52:00
向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。 d、逆向电压（vr）：施加在晶片上的反向电压。 e、逆向电流（IR）：是指晶片在施加反向电压后，所产生的一个漏电流。此电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
试设定值vf、IR、死灯不良率, 切脚后做取良品做浸锡实验10次,观察其颈部收缩状况(须先将材料除湿)。比对数据变化 信赖性实验建议做:冷热冲击实验（供参考：500次，-40~
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00
如果是工作电压不够，或工作电压太低会出现灯不亮或亮度不够，如果供应商问题,可能为漏电，你可以采用qt2测试IR曲线，以波长确定亮度用无铅生产， led是不是要求用无铅的， le
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120528.html2010/12/13 22:57:00
安的正向电流，红黄光类led的vf值约为2伏，而gan基兰绿光类led 器件的vf值通常大于3伏。 反向漏电流IR是指给定的反向电压下流过器件的反向电流值， 这个值的大小十
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
