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硅上氮化镓(gan)LED的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
osram光半导体研制出20ma驱动电流下发光高达100 lm/w的红光300μm×300μm 薄膜LED。
https://www.alighting.cn/resource/20040517/128400.htm2004/5/17 0:00:00
在si衬底gan基垂直结构LED的n极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。
https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32
质的InGaN，并首次使用这一材料制造出最高品质的蓝、绿光LED，实现着一个又一个的第一
https://www.alighting.cn/resource/20070903/128523.htm2007/9/3 0:00:00
6月10日，2015阿拉丁照明论坛之技术峰会隆重开启。“技术峰会ⅱ：芯片、封装与模块化技术”论坛在中国进出口商品交易会展馆-b区8号会议室顺利召开。晶能光电有限公司硅基LED研
https://www.alighting.cn/news/20150610/130039.htm2015/6/10 13:37:30
为了更好的记录MicroLED现在的脚步，让LED人、显示人不要觉得MicroLED离得太远而被忽视，今天笔者就是给大家汇总了2016年MicroLED的一些商业化与技术化的进展。
https://www.alighting.cn/news/20170103/147278.htm2017/1/3 10:15:14
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基LED薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光LED器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
因具有超高解析度，高色彩饱和度，纳秒级响应时间以及低功耗等优点，micro LED成为apple、sony、facebook、samsung、lg、osram、nichia等国
https://www.alighting.cn/news/20180823/158156.htm2018/8/23 9:41:53
记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生，深入探讨晶圆级LED封装的优势以及未来LED 封装市场趋势。
https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00
从LED产业的角度来看，MicroLED一旦投入使用，LED企业将迈入新的体量级别，通俗点说就是担心目前这波大规模的扩产会否带来产能过剩与杀价问题，尤其是未来还将继续扩产的情况下。
https://www.alighting.cn/news/20170726/151895.htm2017/7/26 9:31:29
