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cob封装中芯片在基板不同位置的残余应力

利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近

  https://www.alighting.cn/resource/20130826/125380.htm2013/8/26 14:04:58

转移基板材质对si衬底gan基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了gan基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板gan基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

氧化铝和硅的led集成封装基板热阻的比较分析

以氧化铝及硅作为led集成封装基板材料的热阻比较分析,详细说明这些材料做的热阻的导热性和绝缘性,以及导致的问题对led光源性能的影响。

  https://www.alighting.cn/resource/2011/1/5/11218_46.htm2011/1/5 11:21:08

陶瓷基板基础知识

led领域里有采用非常多的陶瓷材料,例如衬底材料(蓝宝石,碳化硅,氧化锌等),荧光粉也是陶瓷材料,当然支架也有采用陶瓷。氧化铝陶瓷做支架性价比为佳,其具有高散热、低热阻、寿命长、耐

  https://www.alighting.cn/resource/20121122/126287.htm2012/11/22 13:05:07

mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜

采用常压mocvd方法在cu/si(111)基板上生长zno薄膜,研究了缓冲层的生长温度对zno外延膜性能的影响。实验通过干涉显微镜、原子力显微镜、高分辨x射线衍射仪、光致发光谱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127007.htm2011/10/18 14:32:44

道康宁SiC开发获得美国海军支持

2007年12月11日,道康宁化合物半导体解决方案(dccss)业务部获得美国海军研究室(office of naval research)420万美元的合同开发SiC材料技术。

  https://www.alighting.cn/resource/20071213/128566.htm2007/12/13 0:00:00

metal core pcb(mcpcb)与陶瓷散热基板的散热差异分析比较

材料需同时具备高散热与高耐热的特性,因此封装基板的材质就成为关键因

  https://www.alighting.cn/resource/20101130/128176.htm2010/11/30 10:06:03

基于新型基板封装技术的风光互补led照明控制器设计

本文通过深入研究风光互补照明系统工程应用存在的问题,结合多年的实践经验,提出了一种基于新型基板封装的风光互补led照明控制器设计方法,其采用新颖的电路和特殊的电路封装方式,很

  https://www.alighting.cn/resource/20131107/125143.htm2013/11/7 11:10:56

led散热基板之厚膜与薄膜工艺差异分析

影响led散热的主要因素包含了led芯片、芯片载板、芯片封装及模组的材质与设计,而led及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出,所以led芯片 基板及led芯片封装的设

  https://www.alighting.cn/resource/20100908/128011.htm2010/9/8 9:45:15

蓝宝石,硅 (si),碳化硅(SiC)led衬底材料的选用比较

对于制作led芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底,需要根据设备和led器件的要求进行选择。

  https://www.alighting.cn/resource/20100726/128332.htm2010/7/26 9:54:02

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