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英飞凌300mm口径硅晶圆的功率半导体元件初期生产成功

目前功率元件中使用的硅晶圆口径最大为200mm。英飞凌市场营销及分销高级副总裁anton mueller自豪地表示,“我们是业界第一家”证实了采用300mm晶圆可以制造出与20

  https://www.alighting.cn/news/20111026/114298.htm2011/10/26 10:37:46

瑞萨电子推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件

瑞萨电子株式会社宣布推出三款碳化硅(SiC)复合功率器件,它们是rjq6020dpm、rjq6021dpm和rjq6022dpm。这些功率器件是瑞萨电子推出的采用碳化硅的第二个功

  https://www.alighting.cn/pingce/20120210/122670.htm2012/2/10 18:39:25

rubicon:马来西亚厂将开始量产6寸、8寸led蓝宝石晶圆

近日,led蓝宝石基板供货商rubicon宣布,其位于马来西亚槟城(penang)的厂房将开始量产6寸、8寸抛光蓝宝石晶圆

  https://www.alighting.cn/news/20110627/115475.htm2011/6/27 9:16:49

台积电全速进军18英寸晶圆技术领域

在日前于美国加州举行的2011年台积电技术研讨会(technologysymposium)上,该公司透露了更多有关18英寸晶圆制造计划的细节。根据业界消息,台积电正全速进军18英

  https://www.alighting.cn/news/20110412/115496.htm2011/4/12 11:14:18

evg推出三炉evg520l3晶圆键合系统

evg是一家奥地利的晶圆键合和光刻设备制造商,最近evg500系列推出了新的晶圆键合系统。这套evg520l3系统内部包括了三个腔体,它结合了该系列设备在温度控制、活塞力一致和模

  https://www.alighting.cn/pingce/20101025/123226.htm2010/10/25 13:40:22

SiC缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

2012年全球led晶圆产能将增加27%

根据研调机构semi的报告指出,2012年的全球led晶圆制造产能将比2011年成长27%,预计达200万片,其中,估计台湾的占比约25%,稳居第一。

  https://www.alighting.cn/news/20120208/89602.htm2012/2/8 10:41:21

宜特科技引进12吋晶圆全自动切割机

宜特科技整合故障分析处处长 张明伦表示,为满足採用先进製程之客户在样品製备上的需求,宜特特引进12吋晶圆切割设备,该设备不但可提供完整12吋晶圆的切割服务,其双轴切割的功能还可对

  https://www.alighting.cn/news/20111104/114431.htm2011/11/4 14:11:57

效法摩尔定律:led晶圆制造开启大尺寸竞赛

继6寸晶圆产线陆续启动后,发光二极体(led)制造商已投入8、12寸晶圆的研发,如普瑞光电(bridgelux)即成功以8寸矽晶圆制造的矽基氮化镓(gan-on-silico

  https://www.alighting.cn/resource/20110517/127599.htm2011/5/17 17:53:02

日本多晶硅企业tokuyama进军led用硅晶圆市场

据日经产业新闻30日报导,日本多晶硅制造龙头厂商tokuyama已研发出一款使用于led基板的大尺寸单晶硅晶圆,将正式进军led用大尺寸硅晶圆市场。

  https://www.alighting.cn/news/2011121/n752236145.htm2011/12/1 10:16:12

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