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按照该协议的规定，在当前碳化硅功率器件市场需求显著增长期间，cree将向意法半导体供应价值2.5亿美元的cree先进150mm碳化硅裸晶圆和外延晶圆。
https://www.alighting.cn/news/20190122/160087.htm2019/1/22 10:40:02
传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(SiC)为衬底，因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
据了解，6英寸底板量产后，SiC功率元件的普及将会加速。这是因为生产效率提高，有助于削减制造成本，SiC功率元件的价格有望降低。目前，部分厂商正在投产使用4英寸底板制造的SiC二
https://www.alighting.cn/news/20100909/120844.htm2010/9/9 0:00:00
成都硅宝，有机硅材料供应商
https://www.alighting.cn/news/20200415/168000.html2020/4/15 17:47:57
科锐全碳化硅300a/1.2kv半桥式模块实现双倍功率密度，使得在感应加热、中央太阳能逆变器和主动前端马达驱动器中的效率高达99%。
https://www.alighting.cn/pingce/20140519/121692.htm2014/5/19 15:50:02
滨田指出，因为si制igbt的性能提高正在接近理论极限，所以对SiC充满期待。滨田提到了SiC制功率元件的优点之一——功率模块的小型化。以ipm为例，如果使用SiC制功率元件，
https://www.alighting.cn/news/20120209/99825.htm2012/2/9 11:58:31
硅衬底取得突破性进展，SiC衬底芯片光效快速提升，而蓝宝石衬底因产能过剩价格下跌而备显竞争力。2012，衬底也疯狂。新世纪led网评测室特对led衬底2012年三雄逐鹿天下的历
https://www.alighting.cn/pingce/20121230/123355.htm2012/12/30 17:15:32
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
计自动化工具)，以实现科锐碳化硅衬底氮化镓 mmic 加工性
https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18
美国led芯片龙头cree发佈了口径为6英吋，约150mm的SiC底板，6英吋产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于led、高频元件及功率半导体元件。
https://www.alighting.cn/news/20100909/105545.htm2010/9/9 0:00:00
