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1驱动的变速器线(百通8281或等效)数据传输率高达622。控制输出上升和下降时间(400典型)减少transitioninduced抖动。输出电压摆幅可调800mvp-p1峰峰值使
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/5/132033_52.htm2012/4/5 13:20:33
本文为关于《高低温循环对led器件可靠性的影响》的一篇研究性文章，从背景到实验方法，再到实验的结果，内容详尽，结论清晰。
https://www.alighting.cn/2012/3/13 15:09:36
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了siled发
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
采用高温固相法合成了适用于蓝光和近紫外光led芯片的钇铝石榴石黄色荧光粉和硅酸锶钡掺铕绿色荧光粉，通过x射线衍射(xrd)分析、扫描电镜(sem)观察、粒度分析仪测试和光谱仪检测等
https://www.alighting.cn/2012/3/6 17:52:02
摘要：黄塔桃高速公路全长51.3km，其中隧道单洞总长28.3km，占全线的27.6%，隧道照明能耗巨大。如何在隧道照明方面最大限度地节能，是建设和营运中急待解决的问题。led照
https://www.alighting.cn/resource/2012/2/6/172449_70.htm2012/2/6 17:24:49
为了使白光led光谱中红光成分增强,以更适应人眼视觉,通过对yag:ce荧光粉掺杂的改进,引入gd3+、pr3+使白光led光谱在610 nm处出现明显发射峰,并且荧光主峰发生红
https://www.alighting.cn/2011/12/5 13:47:40
https://www.alighting.cn/resource/20111123/126857.htm2011/11/23 17:33:32
l测量结果发现了位于350nm和421nm处的室温光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射to和lo峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
