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gan材料的特性及其应用

n,可用于这些质量不高的gan晶体的缺陷检测。gan在hcl或h2下,在高温下呈现不稳定特性,而在n2下最为稳定。2.2gan的结构特性表1列出了纤锌矿gan和闪锌矿gan的特

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00

【ns9730】防眩通路灯【西安】

上标明的极性接好电线:火线接“l”位,零线接“n”位,地线接到接地位。5、nsc9730防眩通路灯合上电箱盖,将三颗螺钉拧紧,再将电缆线另一端接通220v电源即可照明。 四、ns

  http://blog.alighting.cn/rpmayfm/archive/2011/7/18/230063.html2011/7/18 16:16:00

led隧道照明灯具的节能分析

三是在洞外的山体坡面上进行大面积栽种常青植被等等。这些措施均可起到较好的降低洞外亮度的作用。二、洞外天对隧道照明能耗的影响与节能对策洞外亮度对加强照明能耗的影响很大,而天、季

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00

inn材料的电学特性

为mocvd技术是以in有机源为金属源,以n2作为载,nh3作为氮源,通过二步制程或其它手段在低温500℃左右进行inn生长。mocvd的生长速度适中,可以比较精确地控制外延薄

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

外延生长技术概述

为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢或氮作为载,通入液

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

常压或低压(≈10kpa)下于通h2的冷壁石英反应器中进行,衬底温度为600-800℃,用射频加热石墨支架,h2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。一般的mocvd设

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

gan外延片的主要生长方法

3,zn(c2h5)3等,它们大多数是高蒸汽压的液体或固体。用氢或氮作为载,通入液体中携带出蒸汽,与v族的氢化物(如nh3,ph3,ash3)混合,再通入反应室,在加热的衬底表

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led与太阳能结合的照明技术

当今世界,石油、煤炭、天然等主要能源正面临资源枯竭的危险,同时,环保压力也在不断增加,因此,环保、节能已经成为世界范围内各行各业努力追求的目标。太阳能是一种清洁的绿色能源,半导

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水立方led建筑物景观照明及控制系统

办国和主办城市,其建筑物景观照明一定要融入中国、北京的文化特色。二、照光方式、布灯方式及光源的选择国家游泳中心采用etfe枕构成外围护结构。枕是由3-4层etfe膜固定在金属框

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散热问题持续困扰高功率白光led的应用

后,再加上增加晶片面积就绝对可以一口提?n亮度,因为当光从晶片内部向外散射时,晶片中这些改善的部分无法进行反射,所以在取光上会受到一点限制,根据计算,最佳发挥光效率的led晶片尺

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