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高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着中国芯片领域的发展。除了晶能光电在2011年成功实现2英寸硅衬底氮化镓基大功率led芯片的量产外，中国芯片企业在硅衬底氮化镓基led研究上并无大的突
http://blog.alighting.cn/2803984315/archive/2014/8/19/356360.html2014/8/19 15:53:34
国电宁夏英力特宁东煤基化学有限公司行政服务中心景观工程施工招标公告 2011-03-09 16:33:10 招标编号: 开标时间: 所属行业:能源化工 标讯类别
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/3/10/139631.html2011/3/10 10:59:00
复旦大学教授、博士生导师， 中国照明学会《 照明工程学报》编委会副主编， 《光源与照明》编委会副主编。 长期从事真空紫外光源、高频无极荧光灯、等离子体平面光源、金属卤
http://blog.alighting.cn/1011/2007/5/9 14:26:31
电子制造商富士康(foxconn)开发出利用纳米微粒掺杂局限层(confining layer)的方式来，让氮化铟镓(ingan)与砷化铝镓(algaas)活性层的晶格排列更平
https://www.alighting.cn/resource/20090630/128710.htm2009/6/30 0:00:00
相使用对方三五族半导体发光二极管led的技术专利，其中包含蓝光ingan(氮化铟镓)led与四元algainp(磷化铝镓铟)led的技术。未来晶电及广镓(8199)均可以使用丰田合
https://www.alighting.cn/news/20100917/104648.htm2010/9/17 0:00:00
水晶光电拟出资2000万元与浙江浙大联合创新投资管理合伙企业、浙江大学创新研究院有限公司、浙江双环传动(002472)机械股份有限公司等投资方共同发起设立宁波联创基石投资合伙企业(
https://www.alighting.cn/news/20150410/84297.htm2015/4/10 9:38:41
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179994.html2011/5/20 22:35:00
http://blog.alighting.cn/kinder/archive/2011/5/20/179997.html2011/5/20 22:41:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/11/11/251514.html2011/11/11 17:22:33
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/11/11/251517.html2011/11/11 17:22:42
