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底：层叠反射层在gap基led外延层上，键合导电支持衬底，剥离砷化鎵衬底。导电支持衬底包括，砷化鎵衬底，磷化鎵衬底，硅衬底，金属及合金等。另外，生长在硅片上的垂直GaN基led也
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261596.html2012/1/8 21:55:11
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
目前普遍认为蓝移是in组分分布不均匀造成的局域激子发光的主要原因，然而实验发现高in组分没有出现峰位蓝移，产生这一异常现象的原因主要是因为高in组分造成的势起伏较大，在80k～16
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28
对比el谱,发现pssleds拥有更强的光功率和更窄的半峰宽，说明pssleds具有较高的晶体质量。
https://www.alighting.cn/resource/20141210/123951.htm2014/12/10 10:10:07
本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术，如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。
https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28
大功率led 得以广泛应用，主要由于其寿命长、体积小、电转化效率以及高色温等特点。但是在led 的推广应用中，高效稳定的散热问题成为了重要阻碍。本文着重对大功率led 的散热问题进
https://www.alighting.cn/2014/5/13 10:16:07
众所周知，绿光led的性能水平达不到同等红光和蓝光led。但可以通过降低电流密度、使用一个更大的芯片以及优化生长条件来减少黑点，能够尽可能缩小在100ma驱动电流条件下，达到190
https://www.alighting.cn/resource/20140117/124895.htm2014/1/17 16:05:30
