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利用pld方法沉积了si基zno薄膜，通过结构和电学特性的测量，研究了在o2气氛下退火温度对zno薄膜微结构的改善。研究得到：o2气氛下700℃退火，zno薄膜中出现施主深能级局
https://www.alighting.cn/2013/1/22 17:55:42
出。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光
https://www.alighting.cn/news/2013122/n276448351.htm2013/1/22 14:18:06
田村制作所及其子公司光波公司近日展出了其开发的使用氧化镓(β-ga2o3)的白色led。该led由在β型-a2o3基板上制作的GaN类半导体蓝色led芯片上组合使用荧光体。其不同
https://www.alighting.cn/pingce/20130122/121938.htm2013/1/22 9:15:25
pss最近受到热捧，pps的衬底可以有效减少GaN外延材料的位元错密度，从而减小有源区的非辐射复合，提升内量子效率，减小反向漏电流，提高led的寿命;另一方面有源区发出的光，
https://www.alighting.cn/resource/20130117/126148.htm2013/1/17 20:11:08
护装置，其选择型式、特性、额定电流及设定时所需之资料必须陈述。要由使用者提供在地基上的导管，其大小、目的、和位置必须详述。在机械与相关设备间要由使用者提供的导管，电缆槽或电缆支
http://blog.alighting.cn/sinwotest/archive/2013/1/17/308002.html2013/1/17 16:50:47
本文研究了两组不同晶体质量的GaN外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明GaN外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
npola”使用来自威宝母公司三菱化学株式会社的专用氮化镓(GaN)衬底用于氮化镓的外延生长，从而取代蓝宝石或碳化硅衬底。首尔半导体的 专利“npola”结构最大限度地减少活跃层
https://www.alighting.cn/pingce/20130117/122147.htm2013/1/17 10:03:20
德国爱思强股份有限公司于1月15日宣布，聚灿光电科技(苏州)有限公司向其订购多套crius ii-l系统，用于大批量生产氮化镓(GaN)发光二极管(led)外延片。所订购系统每
https://www.alighting.cn/news/20130116/112829.htm2013/1/16 10:52:45
要集中在 can基led外延材料与芯片、高效高亮度大功率led器件、led功能性照明产品、智能化照明系统及解决方案、创新照明应用及mocvd(金属有机物化学气相沉积设备)等重大装备开
http://blog.alighting.cn/56721/archive/2013/1/14/307625.html2013/1/14 11:34:38
此项目为加拿大的圣劳伦斯教堂，由芬兰赫尔辛基的avanto architects建筑事务所设计。不同于一些教堂华丽辉煌的灯光设计，chapel of st.lawrence的灯
https://www.alighting.cn/case/2013/1/14/1173_76.htm2013/1/14 11:07:03
