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面增加光线的透出等等。有一些高亮度led芯片上p-n两个电极的位置相距拉近，令芯片发光效率及散热能力提高。而最近已有大功率led的生产，就是利用新改良的激光溶解（lase
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134146.html2011/2/20 23:06:00
度等方面的性能要求。根据新制定的行业标准“半导体发光二极管测试方法 ”，主要有发光峰值波长、光谱辐射带宽、轴向发光强度、光束半强度角、光通量、辐射通量、发光效率、色品坐标、相关色温、
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134136.html2011/2/20 23:02:00
动设计的新要求 要将传统的氙气闪光灯放置到尺寸相当紧凑的手机内对设计工程师来说极具挑战性，因为除了粗大的闪光用高压电容外，还必须加上灯泡以及相关的变压器与电子线路，而传统的闪光
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
了许多新的应用，因此能够持续吸引更多的用户。这些新投入使用的hbled包括：显示器、汽车标志牌、信号灯、移动设备及照明设备。 对hbled的控制 总的来说，由于led拥有非线
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
后，就连萤光灯、高压气体放电灯等也开始感受到威胁。 虽然led持续增强亮度及发光效率，但除了最核心的萤光质、混光等专利技术外，对封装来说也将是愈来愈大的挑战，且是双重难题的挑战，一方
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
1 引言 自从1991年nichia公司的nakamura等人成功地研制出掺mg的通质结gan蓝光led，gan基led得到了迅速的发展。gan基led以其寿命长、耐冲击、抗
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n led外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光led外延片，x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达
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光led电荷泵，在线路板布局中需要遵循以下规则： 所有的gnd和pgnd引脚直接连接到ic下方的裸露焊盘(ep)。 输入、输出和飞电容最好使用电解质为x5r或性能更好的陶瓷电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134115.html2011/2/20 22:53:00
以解决的技术问题。 在承担的国家级科技攻关项目中，我们将新设计的dis1xxx系列浮压恒流集成二极管与led芯片通过厚膜集成电路工艺技术集成为一体，解决了集成功率级led在使用
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纤照明实现了光电分离，这是一个质的飞跃，不仅安全性能提高，而且应用领域大大的拓宽了。 5）塑料光纤照明系统光色柔和，没有光污染。塑料光纤装饰照明采用过滤光谱的方式改变光源发光颜色，通
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