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与尺寸大小关系不大，但与电极的位置有关，ｐ焊线电极远离ｎ电极的芯片２０ｍａ下的光输出功率高，正向压降也高。 关键词:ｇａｎ基led;ｉ－ｖ特性;ｐ－ｉ特性; ｇａｎ基半导体材料近
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35
d，此种结构本身就能够提供一致的匹配。它们还能够提供可变和优化的电压升高比例，因此具有非常高的电源转换效率。然而，由于外部元件的尺寸和成本，以及讨厌的电磁干扰(emi)，基于电
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274764.html2012/5/16 21:30:31
微控制器的端口引线通常可被激励为高电平或低电平，要么被置于一种“输入”或高阻抗状态。本电路采用这三种状态来实现用一根端口引线(port pin)驱动两个led。在没有端口引线可
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274762.html2012/5/16 21:30:26
下，相对于降压或全桥拓扑结构其升压效率也是非常低。而且，由于升压型转换器无法良好控制低于vin的输入电压，因此需要一个相对较高值的fb电压以保证稳压器总是升压。这对调整高vin和
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274761.html2012/5/16 21:30:22
止级联压降，最后一字符的gnd，5v，vd应再与电源直接相连；每片显示驱动芯片应连一0.1μf电容。这样可明显提高系统的可靠性。 rtc－5模块因采用74hc595/tpic6
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274760.html2012/5/16 21:30:20
电产品需要优化的led驱动电路架构，这些架构要处理并存的多项挑战，如空间受限、需要高能效，以及电池电压变化—既可能比led的正向电压高，也可能低。常用的拓扑结构有两种，分别是led采
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274759.html2012/5/16 21:30:18
光。这是因为当芯片是以高电流来驱动时，所产生的高热会造成铜 导线框（lead-frame）从原先封装好的位置迁移。因此在芯片与导线框间存在着tce的不协调性，这种不协调性是对led可
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
越重越大面积的金属材料来降低温度越好，仅铝合金材料成本即增加30~70美金；如改用工业级高信赖性冷气机空调和计算机cpu等高阶大功率产品使用主动强制散热方法，高效率军规小风扇寿命保
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274757.html2012/5/16 21:30:05
3三千万片。 与oled技术和发展相呼应,oled的驱动器也日益扮演着重要的角色。不只是从低占空比上升到支持高占空比, 而且应用了诸如每个rgb电流的控制、更宽的ic工作温度 (
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274756.html2012/5/16 21:30:02
led-display.cnledw.com/"led显示屏由于其具有耗电少、使用寿命长、成本低、亮度高、故障少、视角大、可视距离远等特点，已经成为新一代的信息传播媒体工具。le
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