站内搜索
按要求包装、入库。二、封装工艺1.lED的封装的任务是将外引线连接到lED芯片的电极上,同时保护好lED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。2.lED封
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229960.html2011/7/17 23:36:00
小功率lED 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于lED 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 基的lED 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
用范围。根据不同的芯片和应用的需要,可以选择不同的激发和发射峰的该系列荧光粉。硫化物系列荧光粉的最大缺点在于：性质不够稳定、光衰大。主要原因在于：在使用过程中,硫容易析出,二价铕容易
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
厂,快速成为世界级的lED制造中心。?;2007/3,lED芯片厂曜富、洲磊宣布以1股曜富对1.7股洲磊换股合并,前者为存续公司,两家公司资源集成后,2008年产能可以扩充一
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00
制晶圆膜厚度,得到优良的晶圆材料,但生长的速度较慢,对于较厚要求的晶圆生长耗时过长,不能满足大规模生产的要求。对于光电器件,特别是lED、ld芯片,一般都采用用mocvd技术。这是因
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00
早期在小积体电路时代,每一个6?嫉耐庋悠?上制作数以千计的芯片,现在次微米线宽的大型vlsi,每一个8?嫉耐庋悠?上也只能完成一两百个大型芯片。外延片的制造虽动蓓投资数百亿,但
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚,反应气体对设备具有腐蚀性,影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00
产300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的lED外延片和 芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度lED管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的lED的中批量生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
lED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光lED的基石,gan基lED外延片和芯片技术,是白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
