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将配好的萤光粉手动搅拌20分钟至30分钟不等，直到萤光粉分佈均匀为止。 6、把配好的萤光胶抽真空至看不见气泡的状态，取出后，放在室温下用干净的玻璃盖上使用，使用前需按同一方向缓
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120543.html2010/12/13 23:02:00
括针头接触pcb之前和期间的延时时间)。池槽温度应该在25~30°c之间，它控制胶的粘性和胶点的数量与形式。 范本印刷被广泛用于锡膏，也可用与分配胶剂。虽然目前少于2%的sm
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120532.html2010/12/13 22:58:00
则相对降低20~30%,换句话说白光led的亮度如果要比传统led大数倍，消费电力特性希望超越萤光灯的话，就必需先克服下列的四大课题，包括，抑制温升、确保使用寿命、改善发光效率，以
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
形下，常因无法迅速传热至散热器导致led受损。 冶炭纳米公司自行实验显示，与一般传统导热胶比较，冶炭纳米导热胶在30秒内的导热效能高于传统导热胶40％以上，这对于发展10瓦以上
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120524.html2010/12/13 22:54:00
晶能光电(江西)有限公司董事长江风益： 晶能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片，年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域，晶能光电创造性发
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00
使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难，当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
灯，同类负载太集中，会对电网产生较严重的污染。对于30瓦~40瓦的led驱动电源，据说不久的将来，也许会对功率因素方面有一定的指标要求。 4．驱动方式 现在通行的有两种：其
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120509.html2010/12/13 22:45:00
8， 英制叫法是1210. 5050：这是公制叫法，即表示led珠宝灯贴片灯珠的长度是5.0mm， 宽度是5.0mm又叫5050. 2、led珠宝灯灯珠灯数 30灯、60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120503.html2010/12/13 22:37:00
率：约1oct/min； ——持续时间：30min。 试验后检查受试设备应无损坏和紧固件松动脱落现象，通电设备功能正常。 6.2.5自由跌落试验 试验应符合5.2.
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120496.html2010/12/13 22:33:00
