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m的硅片管芯上，要长时间通过300-1000ma的电流，必然有功耗，必然会发热，芯片本身的物理散热结构也是至关重要的。 5. 驱动芯片本身的抗emi、噪音、耐高压的能力也关系到整
http://blog.alighting.cn/flashhsj/archive/2010/12/14/120761.html2010/12/14 14:47:00
用过程中,降低器件及系统热阻[ 3 ] ,从而降低芯片温度;优化led 外延层结构,减少电流泄漏,增加电子、空穴在结区的复合几率,是提高l ed 在大功率下发光效率的两个主要途径。
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120562.html2010/12/13 23:08:00
源可分为下列四种: ‧拟似白光led 基本上它是由蓝光led与黄色荧光体所构成，动作时利用互补原理产生白光，这种型式的led结构非常单纯，而且发光效率很高，因此被当作小型lc
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120563.html2010/12/13 23:08:00
还拥有良好的热稳定性，在室温下连续运作2小时效率也没有下降。科学家们表示，他们的这一技术还能用于制造其它的纳米结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120561.html2010/12/13 23:07:00
p(truncatedinvertedpyramid)晶粒结构的红光led发光效率达到100lm/w，绿光led也可达到50lm/w，单个功率led的光通量达到了几十流明（白炽灯、卤钨灯光效为12-2
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
造蓝光发光二极管(led)的关键技术，并由此开发出以荧光材料覆盖蓝光led产生白光光源的技术。半导体照明具有绿色环保、寿命超长、高效节能、抗恶劣环境、结构简单、体积小、重量轻、响应快
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
外，在航天航空、国防等高科技领域，由于使用环境的恶劣，要求封装材料必须具备高耐热性。为了提高封装材料的耐热性，一般是要提高封装材料的交联度。另外，在环氧树脂的结构中导入奈环、恿环等多环
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120555.html2010/12/13 23:05:00
状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gan基led，p型电极和n型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近n型电极处电流密度很大，所以在正常工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
１、引言 ｌｅｄ是一种可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件，由于具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色纯、结构牢固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00
