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利用mocvd系统在al2o3衬底上生长ingan材料和ingan/gan量子阱结构材料。研究发现,ingan材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
、使用寿命长的要求.结合数学建模和软件模拟的方式设计了一种小巧的反光杯,利用反光杯把led近180°的发散光束汇聚到60°左右;然后再用一一对应的透镜阵列汇聚为平行光;最后采用柯勒照
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127163.htm2011/9/13 8:58:08
用法布里珀罗标准具的透过率曲线与甲烷吸收线相互匹配的方法滤掉无用光,并通过压电陶瓷改变标准具的腔长,从而实现了差分吸收探测,进一步提高了测量灵敏度,取得了较好的结果
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31
介绍了利用电子束蒸发技术在蓝宝石光纤端面上生长具有良好表面形貌和晶体结构的zno薄膜方法.不同测试温度(室温至773k)条件下的透射光谱显示,蒸镀在蓝宝石光纤端面上的zno薄膜,
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面gan和с面蓝宝石上的с面gan,α面gan材料质量和с面gan相差较大,在α面gan上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性gan截
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
“最高荣誉奖盘”的奖项在全球仅有3家企业获得，与新力光源同享这一殊荣的是国际照明巨头ge（通用电气公司）和中国交通银行。在隆重的颁奖典礼上，上海世博会组委会主任、后世博秘书长徐祖
https://www.alighting.cn/news/2011216/n835530308.htm2011/2/16 0:56:04
led显示屏由于其亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定等本身具有的优点,从而在当今社会受到广泛重视而得到迅速发展。本设计提出了一种基于单片机的led显示
https://www.alighting.cn/resource/20110823/127262.htm2011/8/23 13:50:04
光谱比较了生长在γ面蓝宝石上的α面gan和с面蓝宝石上的с面gan,在α面gan上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的с面生长的极性gan截然不同.对α面gan的缺陷形成原因进行了讨
https://www.alighting.cn/resource/20110817/127304.htm2011/8/17 11:37:33
