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美国移民投资热持续升温

引力的国家。 理由三:中国对美国的投资热度与日俱增 现在的中国被许多学者比作80年代的日本。那时的日元坚挺并且美国国内资产的估价偏低。 日本的民间资本一时间纷纷涌入美国资本市

  http://blog.alighting.cn/xixi100415/archive/2011/1/10/126846.html2011/1/10 14:37:00

员工离职前的四大征兆

失。这个损失,一种是有形资产实际损失,如客户流失,资料缺失,合作方的中断;另一种是无形资产损失,即对雇主品牌造成的负面影响。离职管理在制度、流程、管理和沟通上的完善和到位,能够降

  http://blog.alighting.cn/ledhr01/archive/2012/5/30/277136.html2012/5/30 13:49:36

中国家具照明行业的战略模式

牌战略反映出显着的战略导向。品牌是运营战略的中间,品牌资产是最具有价值的公司资产,品牌优势是最可靠的战略比赛优势,所以只需以品牌驱动的战略推广才华完结公司价值的最大化。面对剧烈的商

  http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/11/12/297142.html2012/11/12 15:24:28

led产业应注重研发培育人才

【led幕墙屏 网】国家半导体照明工程研发及产业联盟数据总监潘冬梅表示,只有以人为核心,周密布局,潜心研发,才能让无形的资产释放出巨大的能量,最终变现为有形的资产。led属于高

  http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/8/6/322899.html2013/8/6 14:18:01

台北电脑展》台北显示器展》台湾电脑展》台湾电脑展》台湾显示器展》

式蚀刻、光阻剥离、雷射退火、烤箱、基板取放装置、离子植入等设备。-面板组合:定向膜涂布、定向、间隔剂散布液晶注入/滴下、组合对位、烧成炉、偏光板贴片、切割裂片等设备。-彩色滤光片:洗

  http://blog.alighting.cn/bellaworld/archive/2010/5/5/42993.html2010/5/5 17:49:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

以dlc接口及钻铜基材制造大功率的垂直led

n晶格为六方晶系的würtzite结构,因此具有压电效应,界面应力产生的实时电场可以扰乱了led内的电流分布。不仅如此,金属基材即使不自接口剥离,其膨胀也可能撑裂缺陷的某中区,以

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00

led芯片的制造工艺流程简介

明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00

基于si衬底的功率型gan基led制造技术

→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

si衬底gan基材料及器件的研究

n led外延片和新基板焊接剥离技术,利用lp-mocvd系统在si(111)衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光led外延片,x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

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