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研究发光二极管(light-emittingdiode,led)直肠内照射对大鼠实验性溃疡性结肠炎(ulcerativecolitis,uc)的抗过氧化损伤以及促进结肠粘膜组
https://www.alighting.cn/2011/10/19 14:04:47
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下，通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后，led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上，而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
三星高级技术研究所(samsung advanced institute of technology)已经成功地利用无定形玻璃基材制造出单晶氮化镓(gan)，这是一个重要的里程碑
https://www.alighting.cn/news/20111011/114471.htm2011/10/11 9:58:44
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
研究了三氧化钼(moo3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127047.htm2011/9/30 11:19:54
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型zno薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明生长温度为400～450℃
https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25
目前亿光已建立起完整的led上、中、下游产业链，上游led晶粒供货商包括晶电、泰谷、广镓，下游合资成立led照明公司如亿光固态、亚明固态、成都蓉威、天目固态、捷纳睿照明。目前亿
https://www.alighting.cn/news/20110929/114746.htm2011/9/29 9:40:49
氮化镓led是一种新型led发光装置，其特点在于光效高，在led电视以及其他照明产品中应用广泛。
https://www.alighting.cn/news/20110929/100434.htm2011/9/29 9:25:40
2011年6月29日广州分中心签发的w-2-5100-2011-0042归类决定，将用于led外延片生产的三氧化二铝衬底(俗称“蓝宝石衬底”)的海关编码，由原来海关认
https://www.alighting.cn/news/20110928/110067.htm2011/9/28 15:13:33
