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3技术下代led平台的建成与cree公司的先进的硅碳化技术,拥有led芯片架构和磷的进步,展示了一个新的包装设计,以提供的最先进的照明级led组件在行业内, 灯具制造商寻求energ
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/9/21/290616.html2012/9/21 21:23:14
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/pingce/20120920/122664.htm2012/9/20 9:45:34
会昇阳科、昱晶、新日光等台厂,寻求合作机会,并向台厂介绍ldk最新的高效能太阳能硅晶圆产品。 兴雪昨表示,"太阳能价格再跌有限,杀价抢市已毫无意义",ld
http://blog.alighting.cn/zggdsb/archive/2012/9/19/290399.html2012/9/19 16:34:54
南通同方已采用veeco的设备成功生产基于蓝宝石衬底的氮化镓led,硅基氮化镓led将成为其未来几年投资重点,并将继续采用veeco设备。
https://www.alighting.cn/news/20120919/113212.htm2012/9/19 15:43:29
科锐功率器件与射频(rf)首席技术官 john palmour 表示:“碳化硅双极型(bipolar)器件的发展长期以来受制于基面位错引起的正向电压衰减。该款低基面位错材料能够用
https://www.alighting.cn/news/20120919/113213.htm2012/9/19 15:00:25
科锐公司日前宣布推出其最新低基面位错(lbpd)100毫米4h碳化硅外延片。该款低基面位错材料的外延漂移层的总基面位错密度小于1 cm-2,引起vf偏移的基面位错容量小于0.
https://www.alighting.cn/news/2012919/n001043708.htm2012/9/19 14:16:38
led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”,这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂
https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39
石的非衬底转移技术、碳化硅衬底转移技术以及硅衬底技术都有很大的技术发展空间。 为了提高led封装的电光转换效率,研制高折射率的封装胶体和高激发光效的荧光粉将成为封装的技术发展趋
http://blog.alighting.cn/oumanlight/archive/2012/9/14/289954.html2012/9/14 16:28:54
科锐公司(nasdaq: cree)日前宣布推出高品质、低微管的150毫米 4h n型碳化硅外延片。科锐通过推出更大直径的外延片,从而继续引领碳化硅材料市场的发展。
https://www.alighting.cn/news/2012913/n172643429.htm2012/9/13 10:01:17
目前使用量最大的led芯片是蓝宝石衬底,但有一个例外是美国的cree使用碳化硅当衬底。在照明市场开发的下一个阶段,市场需要的是成本够低,高电流的芯片设计。可能蓝宝石衬底的led芯
https://www.alighting.cn/pingce/20120912/123068.htm2012/9/12 10:28:23