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厦门开发晶led项目有望2012年6月试生产

2010年12月28日长城开发发布公告称,签署成立开发晶照明(厦门)有限公司,总投资增加至4.9亿美元。其中台湾晶元光电占股40%,亿光占股9%,长城开发占股44%,为第一大股东。

  https://www.alighting.cn/news/20110310/116274.htm2011/3/10 10:30:02

ledinside发表:挠曲金属封装基板

ledinside发表[可挠曲金属封装基板在高功率led中的应用],金属高散热基板材料可分成硬质与可挠曲两种基板

  https://www.alighting.cn/news/20080221/91540.htm2008/2/21 0:00:00

浅析:led封装之陶瓷cob技术

cob,在电子制造业里并不是一项新鲜的技术,是指直接将裸外延片黏贴在电路板上,并将导线/焊线直接焊接在pcb的镀金线路上,也是俗称中的打线(wire bonding),再透过封

  https://www.alighting.cn/resource/20110826/127251.htm2011/8/26 9:56:45

高功率led散热基板发展趋势

由于led技术的进步,led应用亦日渐多元化,由早期的电源指示灯,进展至具有省电、寿命长、可视度高等优点之led照明产品。然而由于高功率led输入功率仅有15至20%转换成光,其余

  https://www.alighting.cn/2013/10/16 10:32:18

蓝宝石表面处理对氮化镓光学性质的影响

采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用lp-mocvd在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.利用GaN薄膜光学透射谱,结合椭偏测量得到的折射

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127394.htm2011/7/26 15:17:59

比利时研究中心:降低氮化鎵技术成本,推动氮化鎵技术发展

比利时研究中心(imec)推出一项联合开发计划(iiap:industrial affiliation program),目标是降低氮化鎵(GaN)技术成本,采用大直径的硅基氮化

  https://www.alighting.cn/news/20090720/104475.htm2009/7/20 0:00:00

日亚欲08年3月出货纯蓝光半导体激光器样品

日亚化学将于2008年3月份开始试销445nm、1w连续波模式(cw)GaN蓝光激光二极管(ld)设计样品。

  https://www.alighting.cn/news/20071122/121377.htm2007/11/22 0:00:00

在蓝光led和激光器外延片上消除弯曲

本文通过实验,仔细研究了衬底特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。

  https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33

led结构生长原理以及mocvd外延系统的介绍

近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。

  https://www.alighting.cn/resource/20060314/128926.htm2006/3/14 0:00:00

外延芯片集中度提升 产品格局或变

2014年我国led上游芯片技术将持续提升,产能会加快释放,但企业表现会出现分化,一些规模小、技术实力不强的芯片企业的生存之路将变得愈发艰难,而外延芯片企业的数量也会逐步减少,集中

  https://www.alighting.cn/news/20140324/87040.htm2014/3/24 12:07:36

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