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本文采用热h3po4湿法腐蚀方法对GaN表面进行粗化处理，比较了不同腐蚀条件对表面形貌的影响，并对最终器件光电性能进行测量，分析结果显示经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可
https://www.alighting.cn/resource/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
研究了不同能量的电子束辐照对 GaN 基发光二极管(light emitting diode，led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射，对 GaN 基 le
https://www.alighting.cn/resource/20140926/124256.htm2014/9/26 11:56:32
正装结构和垂直结构的芯片是GaN与荧光粉和硅胶接触，而倒装结构中是蓝宝石(sapphire)与荧光粉和硅胶接触。GaN的折射率约为2.4，蓝宝石折射率为1.8，荧光粉折射率为1.
https://www.alighting.cn/resource/20140804/124386.htm2014/8/4 10:12:48
led芯片的湿法表面粗化技术主要阐述经过粗化的GaN基led芯片，亮度增加可达24%以上。采用湿法腐蚀方法对GaN材料表面进行处理，对其表面形貌进行分析同时将其制作成芯片，对其光
https://www.alighting.cn/resource/20110712/127432.htm2011/7/12 17:59:48
日立电线株式会社宣布成功开发出在蓝宝石基板上生长的高质量氮化镓(GaN)单晶薄膜的GaN模板全新量产技术，并已开始销售。通过将该产品用作“白色led外延片”的底层基板，可以大幅提
https://www.alighting.cn/news/2013510/n857651594.htm2013/5/10 10:52:50
武汉华灿光电有限公司的技术团队采用超晶体缓释应力等新型衬底技术，通过优化结构设计，优化分子束外延和金属有机化学气相沉积工艺，开发出具有独立知识产权的超高亮度GaN绿色发光二极管外
https://www.alighting.cn/news/2007522/V8003.htm2007/5/22 13:56:23
中村修二教授的报告题目名为“recent advances in nonpolar and semipolar GaN for blue and green lase
https://www.alighting.cn/news/20121226/n474247336.htm2012/12/26 9:46:47
上世纪末，半导体照明开始出现并快速发展，其中一个核心前提是蓝光GaN基发光材料的生长和器件结构的制备，而未来材料和器件结构技术的水平也终将决定半导体照明技术的高度。就GaN基材料
https://www.alighting.cn/news/2014729/n156664358.htm2014/7/29 10:18:51
GaN和sic对功率电子市场来说还不成熟。前者要求在制造工艺上做技术改进，特别是外延厚度;而后者，目前是一种昂贵的材料，不适合在消费类市场使用。更先进的sic和GaN,中国是完
https://www.alighting.cn/news/201396/n370855917.htm2013/9/6 10:42:55
https://www.alighting.cn/news/2007523/V12569.htm2007/5/23 10:46:10
