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镓铝砷(gaalas)或砷化镓(gaas)、氮化镓(GaN)等材料组成,其内部结构具有单向导电性。3)、晶片的结构：焊单线正极性(p/n结构)晶片,双线晶片。晶片的尺寸单位：mi
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
GaN基led的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电
https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40
2018年2月23日，松下宣布研发出新型mis结构的si基GaN功率晶体管，可以连续稳定的工作，阈值电压不会发生变化。这项技术有望进一步增加GaN功率晶体管的工作速度，可以进一
https://www.alighting.cn/pingce/20180227/155307.htm2018/2/27 10:02:54
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
科锐宣布与荷兰nexperia公司签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，nexperia将有权使用科锐GaN氮化镓功率器件专利组合，包括了超过300项已授权美
https://www.alighting.cn/news/20180416/156413.htm2018/4/16 10:41:13
4月12日，科技部高新司戴国强副司长，材料处王琦安处长、张新民副处长、李宝山调研员一行莅临北京新材料科技促进中心(半导体照明工程重大项目管理办公室)视察指导。
https://www.alighting.cn/news/20070418/102505.htm2007/4/18 0:00:00
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
纳米涂层材料 0571-85367025 型号：vk-tc3 本产品性能具国际先进水平，产品喷涂于被涂面后，常温形成纳米透明薄膜 特点： 1采用特殊粘接剂，可常温涂
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2009/11/17/19516.html2009/11/17 17:21:00
半导体封装材料及设备制造和代理厂商长华电材2019年12月30日宣布，携手被动元件后段自动化生产设备厂天正国际，双方签署合作协议书，未来将结合双方在led、半导体及被动元件之产
https://www.alighting.cn/news/20200103/165977.htm2020/1/3 9:37:09
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
