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如gaas（砷化镓）、gaasp（磷化镓砷）、a1gaas（砷化铝镓）等半导体制成，其核心是p-N结，因此它具有一般p-N结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当p型半导体和
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很大，所以在正常工
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
使第一根选通线blk_eN0作第一级列锁存器译码器的使能控制线，这样N根选通线就能依次选通N级横向级联模块。这样就可以用相同的显示模块任意组合成横向级联的条屏。 运用错位级
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120877.html2010/12/14 21:49:00
片的透明电极(ito、ruo2、zNo及Nio)表面做成光子晶体结构，其方法为：首先在倒装焊芯片的透明电极表面贴一层保护膜层，如光刻胶pr， 二氧化硅sio2，氮化硅 si3N4
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126776.html2011/1/9 21:14:00
o3和si3N4,或复合缓冲层；如alN/3c-sic,alN/gaN/alN等等。alN缓冲层是目前较为普遍使用的缓冲层技术之一。liaw等人报道了采用转化的 sic膜加氮化铝复
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
]或70ma恒定电流[11]，远大于实际工作电流。对于蓝宝石绝缘陈衬底上的gaN基led，p型电极和N型电极只能在外延表面的同一侧，这种特殊的器件结构使得靠近N型电极处电流密度很
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
、423N1、425N1、426N1、423、425、426、423x、425x、426x、433、435、436、443、445、446、upa21等系列。 barksdal
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/4/1/146041.html2011/4/1 13:31:00
阀 r5v08 533 12 a1丹尼逊 deNisoN 溢流阀 r5v10 493 12 a1丹尼逊 deNisoN 马达 m4sc 055 3N00 a502丹尼逊 deNiso
http://blog.alighting.cn/longyubing/archive/2011/4/1/146044.html2011/4/1 13:33:00
.发白光,色温2600-3700k，5000--10000k，wd，wg）2.光通量:40-114流明/瓦（lm/w），66-188.1流明/3瓦（lm/3w） （m2,m3,N
http://blog.alighting.cn/b789456123013/archive/2011/4/16/165817.html2011/4/16 19:01:00
头引进灯具内，拧紧螺母以防电缆松脱；根据灯具接线座旁的字母“l”接火线,“N”接零线，地线符号接地线；再将前盖扣上。③ 用m5内六角扳手打开镇流器箱盖，取出电子镇流器板。将与灯具相
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