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全球芯片代工厂商台湾台积电已经完成了位于台湾新竹科技园区的fab12十二寸晶圆厂第四阶段扩建，并向dainippon screen等六家公司买进机器及工程设备。
https://www.alighting.cn/news/2009421/V19467.htm2009/4/21 8:59:23
日本及法国研究人员最近证实，在led中利用v字型脊状结构来取代平板晶圆，能够使光提取效率提升20倍，该研究小组们已经制造出第一个借助耦合倏逝波(evanescent wave)
https://www.alighting.cn/resource/20090407/128682.htm2009/4/7 0:00:00
2008年全球半导体生产设备销售收入是295.2亿美元，下降了31%。台湾地区是受到下降打击最严重的地区。由于内存厂商削减了开支，台湾地区2008年半导体生产设备的开支从2007年
https://www.alighting.cn/news/20090330/94466.htm2009/3/30 0:00:00
著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(SiC)，氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
https://www.alighting.cn/news/20090324/117058.htm2009/3/24 0:00:00
良的、指标一致的晶圆是从高品质的led制造材料做起的，进而可以制造出优良的芯片。在决定led所有性能指标的条件中，晶圆生产工艺所采用的化学材料是相当重要的因素。一片2英寸晶圆可以切割
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2009/2/8/9647.html2009/2/8 21:45:00
g)技术直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋转涂布法将半导体纳米晶体或荧光粉等荧光材料填入凹槽中，在凹槽间形成一个凸面桥，这个方法可以让白光led变得更
https://www.alighting.cn/resource/20081229/128651.htm2008/12/29 0:00:00
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、si）上，气态物质ingaalp有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生长技
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9232.html2008/10/30 20:16:00
产优良的、指 标一致的晶圆是从高品质的led制造材料做起的，进而可以制造出优良的芯片。在决定led所有性能指标的条件中，晶圆生产工艺所采用的化学材料是相当重要的因素。 一片2英
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9231.html2008/10/30 20:15:00
d。 1923年科学家罗塞夫（lossewo.w.）发现半导体SiC中偶然形成的p－n结中的光发射，但利用半导体p－n结电致发光原理制成发光二极管是在60年代后期得以迅速发
http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9226.html2008/10/30 17:51:00
