站内搜索
内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光led的基石,gan基led外延片和芯片技术,是白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
辑芯片以及存储器应用方面的闪速存储器和dram(动态随机存取存储器)。分立半导体用于制造要求具有精密si特性的元件。“奇异”(exotic)半导体类包含一些特种产品,它们要用非s
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生产。据预
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶gan芯片的替代品。hvp
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
望高性能led能提供“芯片led”的表贴
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229925.html2011/7/17 23:19:00
网的组网方案。以fpga为硬件载体,在单一芯片上实现控制节点的所有功能。(1)采用ipv6实时以太网①以太网是目前应用最广、技术最成熟的计算机网络,兼容性好。基于tcp/ip的以太
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229922.html2011/7/17 23:18:00
衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的外延生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。衬底材料的选择主要取决于以下九
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
卡可以将电子显示屏播放视频时所需的 场频、行频、像素点频几个同步信号提取出来,并将红、绿、蓝三色信号分离出来。数字RGB格式为8：8：8,各可以产生256级灰度,能满足电子显示屏真
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229915.html2011/7/17 23:11:00
a)的蓝光led芯片。除了日亚化学之外,全球各大led也积极地开发出高发光效率的白光led,例如cree在已经开始出货30mw的产品,预计在2006年年底投入33∼36mw的le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229913.html2011/7/17 23:10:00
先是发光效率问题。提高led的发光效率最主要的方法是改进半导体发光材料与led芯片的结构和制造工艺。由于这部分工作需要扎实的理论研究基础和先进的半导体工艺设备,开展这方面研究工作不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229906.html2011/7/17 23:08:00
