LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率为3

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率为

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

LED照明工程实景图

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/263172.html2012/1/29 23:37:38

LED照明工程实景图

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267978.html2012/3/15 21:08:29

国际国内LED新标准分析

1 研究发布ｌｅｄ产品标准的国际组织　　ｌｅｄ产品可分为ｌｅｄ模块（ｌｅｄ　mｏｄｕｌｅ）；自镇流ｌｅｄ模块（sｅｌｆ－ｂａｌｌａｓｔｅｄ　ｌｅｄ　mｏｄｕｌｅ）；整体式ｌｅｄ模块

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268475.html2012/3/16 13:40:50

LED照明工程实景图

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271534.html2012/4/10 22:48:28

LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率为3

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率为

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

LED芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率为

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

LED芯片的技术发展状况

于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率为3

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01