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晶电进驻广嫁 股票有望第四季度上市

随着广董监改选的完成,广也正式成为晶电的成员。市场预期未来广在产品的研发、生产、业务、采购等各方面,都将与晶电有更进一步的整合。

  https://www.alighting.cn/news/20100908/117959.htm2010/9/8 11:12:10

led技术及运用

是开发蓝光led时,碳化矽(sic)与氮化(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。  之前,全球许多大公司皆投

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00

led技术及运用

是开发蓝光led时,碳化矽(sic)与氮化(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时,必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。  之前,全球许多大公司皆投

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31

led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了基于宽禁带半导体材料氮化(gan)和铟氮化(ingan)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/5/14/317133.html2013/5/14 10:41:23

led发展编年史

管。1993年,在日本日亚化工(nichia)工作的中村修二成功把氮渗入,造出了基于宽禁带半导体材料氮化(gan)和铟氮化(ingan)、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝

  http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/27/320061.html2013/6/27 16:27:01

淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型gan的研究

采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表面台

  https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02

中微半导体将发布mocvd 首次进入led照明市场

备可以实现复杂的氮化、铟氮、铝氮超薄层结构的大批量生产,这些超薄层结构对于高亮度led是必需的。中微的mocvd设备不仅具有精准的参数控制、全自动化处理和独特的紧凑设计等特

  http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/4/1/313061.html2013/4/1 11:17:40

大陆高薪向台led上游人才招手 引发离职潮

大陆led厂近年买进百台以上mocvd,需要的外延制程工程师高达百位,对工程师人才的缺口相当庞大。加之大陆在蓝光部分亮度仍较台厂差距2级左右,亮度约减少14%,加上蓝宝石衬底价格高

  https://www.alighting.cn/news/20110211/91324.htm2011/2/11 12:57:24

浅析半导体照明led及其应用产业化

固、抗冲击、耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积小等一系列特性。近年来,led发展突飞猛进。其中基于氮化gan材料的高亮度功率型半导体照明是化合物半导体乃至整个光电子和半导体产业

  https://www.alighting.cn/resource/2009518/V854.htm2009/5/18 11:06:37

抢占led照明未来竞争制高点重点发展的领域

域: 技术与装备:支持mocvd装备、新型衬底、高纯mo源(金属有机源)等关键设备与材料的研发;开展氮化材料、oled材料与器件的基础性研发;支持半导体照明应用基础理论研

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2010/10/8/103173.html2010/10/8 14:06:00

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