检索首页
阿拉丁已为您找到约 15848条相关结果 (用时 0.0146845 秒)

士兰微电子推出高功率因数控制器sd7530

杭州士兰微电子最近推出了应用于led照明的高功率因数反激式pwm控制器——sd7530。该芯片具有启动电流低(小于5ua)和功率因素高(大于0.95)等优点,可广泛应用于led日

  https://www.alighting.cn/pingce/20120516/122261.htm2012/5/16 10:26:04

连营科技推出10w高功率led产品cp150

led台厂连营科技运用新型之氧化铝材料取代原有之ltcc封装材料,结合其擅长的陶瓷基板及高功率led封装技术,推出新一代高功率led─cp150。此产品为目前市面上最小尺寸之10

  https://www.alighting.cn/news/20090526/119872.htm2009/5/26 0:00:00

功率照明led持续吃紧 跌幅仅1~3%

市场研究机构表示,第2季照明用中功率led仍处于供货吃紧的状况,目前在市场上暖白色温还是主力需求,供货紧张的情形,预计到7月份才会得到舒缓,本季照明中功率led报价跌幅约1~3

  https://www.alighting.cn/news/2013618/n572852821.htm2013/6/18 14:29:33

功率因数校正浅析

在电源的设计中,apfc一般是优先考虑的校正方法。作为设计人员,大致从以下几个方面对apfc进行考虑。

  https://www.alighting.cn/resource/20141121/124049.htm2014/11/21 17:05:10

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

首页 上一页 70 71 72 73 74 75 76 77 下一页