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硅衬底gan基ledn极性n欧姆接触研究

在si衬底gan基垂直结构led的n极性n面上,利用电子束蒸发的方法制作了ti/al电极,通过了i-v曲线研究了有无aln缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响。

  https://www.alighting.cn/2013/9/30 11:37:32

提高取效率降热阻功率led封装(图)

功率led封装技术主要应满足以下两点要求:一是封装结构要有高的取光效率,其二是热阻要尽可能低,这样才能保证功率led的光电性能和可靠性。

  https://www.alighting.cn/news/20081013/V17542.htm2008/10/13 11:04:33

功率led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00

功率led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

功率led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

功率led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

sfw6110(b)移动照明车(本田发电机)

部气缸采用可调式三脚支架支撑,在不超过 15°的斜坡、碎石路面及面积狭窄的地方能可靠固定;b灯具灯盘、气缸和发电机组为整体结构,发电机组底部装有万向轮和铁轨轮,可在坑洼不平的路面

  http://blog.alighting.cn/XIAOXIANG/archive/2010/9/1/94141.html2010/9/1 12:35:00

[原创]vdtl01固态免维护led防爆灯

适用范围: 适用于隔爆条件下的巷道,峒室、泵房、变电站、车厂、油田、炼化厂等环境照明。 产品特点: 1、压铸铝外壳,隔爆高防护等级,采用优化的结构设计和密

  http://blog.alighting.cn/whvonno05/archive/2010/4/20/40860.html2010/4/20 9:37:00

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