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mocvd法制备磷掺杂p型zno薄膜

谱证实了该zno薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354ev与中性受主束缚激子相关的发射

  https://www.alighting.cn/resource/20110930/127048.htm2011/9/30 10:49:25

lisrpo_4:tb~(3+)荧光粉的制备及发光特性

配。在紫外激发下的发射由位于490nm(5d4-7f6)、545nm(5d4-7f5)、585nm(5d4-7f4)、622nm(5d4-7f3)的四组线状构成,对应tb3

  https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:12:32

in_(0.2)ga_(0.8)as/gaas单量子阱pl谱温度特性及其机制

测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的值波长和荧光谱线半全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,

  https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53

景观照明设计的三大误区及几点探讨

成岭侧成”的变化;对于商业街道的照明应综合考虑霓虹灯照明、广告照明、橱窗照明等,以色彩斑澜为主调,同时配以柔和舒适的照度,重点在于突出街道的热闹气氛和繁荣景象;住宅小区的照明则应

  http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/9/19/236822.html2011/9/19 10:47:40

膜层厚度对蓝宝石衬底上生长的ito薄膜性质的影响

现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射的半全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增

  https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23

绿色发光粉caba_2(bo_3)_2∶tb~(3+)的制备和发光特性

→7f5、5d4→7f4、5d4→7f3能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射最强,样品呈现很好的绿色发光。主要激发位于200~300 nm之间,属于4f75d1宽

  https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56

湿法腐蚀制备蓝宝石图形衬底的研究

度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后gan的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半宽逐渐增

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00

图形蓝宝石基gan性能的研究

x射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

led检测设备畅旺 旺矽乐看第4季

现10~15%季增率的强劲反弹格局,届时有机会达到全年单季最高

  https://www.alighting.cn/news/20110902/90004.htm2011/9/2 10:54:15

非极性gan用r面蓝宝石衬底

:平均半宽值为19.4arcsec;位错密度为5.6×103cm-2,波长大于300nm时的平均透过率大于80%;光学均匀性δn=6.6×10-5;平均表面粗糙度为0.49nm.结

  https://www.alighting.cn/resource/20110901/127216.htm2011/9/1 14:07:02

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