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中山大学光电材料国家重点实验室的研究人员采用四层硅delta掺杂的GaN作为n型覆层，显著提高了氮化物led的抗静电能力，这个改善是因为外延GaN材料晶体质量的改善和器件电流扩
https://www.alighting.cn/news/20111018/99947.htm2011/10/18 16:08:46
据报道，美国公司soraa计划在纽约锡拉丘兹开设一家半导体制造工厂。该公司将与纽约州达成合作，共同新建一家先进的氮化镓基板(GaN on GaN)led制造工厂。据悉，新工厂将雇
https://www.alighting.cn/news/20151102/133806.htm2015/11/2 10:00:54
2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)
http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00
1,cree著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射
http://blog.alighting.cn/trumpled/archive/2012/6/18/278893.html2012/6/18 9:44:56
少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析，我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
led 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序（wafer fabrication）、晶圆针测工序（wafer probe）、构装工序（packaging）、测试工序（initia
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
led芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
对半导体照明有较系统的研究，研究内容主要包括GaN材料的mocvd外延生长技术，白光大功率led封装技术，led可靠性研究。另外还对led的光学配光设计有较丰富的经验。
http://blog.alighting.cn/YulunXian/2008/10/20 15:55:24
