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l bonding），将led磊晶晶圆从gaas或GaN长晶基板移走，并黏合到另一金属基板上或其它具有高反射性及高热传导性的物质上面，帮助大功率led提高取光效率及散热能力。封装设
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14
而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。 2、片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18
1,cree 著名led芯片制造商，美国cree公司，产品以碳化硅(sic)，氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 GaN 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261432.html2012/1/8 21:28:50
、大屏幕显示器、信号灯和液晶屏幕背光源等领域。近些年来，随着gap、GaN系ⅲ-v族化合物半导体的结晶成长工艺技术及纳米技术的进步，led的光效和大功率集成技术都有了很大的提高，le
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261393.html2012/1/8 20:27:34
是开发蓝光led时，碳化矽(sic)与氮化镓(GaN)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
m波长的led器件,制作纹理结构后,发光效率可达30lm/w,其值已接近透明衬底器件的水准。 四、倒装芯片技术 通过mocvd 技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层,由p/
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261338.html2012/1/8 20:19:40
近日，中国两家具有代表性的代工企业华虹半导体与宏力半导体制造(gsmc)宣布合并，此后，中国将诞生8英吋晶圆月产能达到约14万片的代工企业。
https://www.alighting.cn/news/20120106/113970.htm2012/1/6 9:51:55
看，2011年台湾led总产值（加计上游外延片/晶圆）达45.37亿美元（汇率1：30），虽较2010年45.55亿美元衰退0.4％，但若以主要产业链的总产值作为产业规模的度量，台
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/12/26/260307.html2011/12/26 22:21:14
根据国际研究暨顾问机构 gartner 初步统计结果， 2011年全球半导体营收较 2010年微幅增加0.9%，达到3,020亿美元。半导体产业在今年年初虽有强劲表现，但随着对整体
https://www.alighting.cn/news/20111226/89719.htm2011/12/26 11:55:38
