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led材料发展时间表

1991年,日亚公司研制成功同质结GaN基蓝光led,峰值波长430nm,光谱半宽55rim,其光输出功率为当时市场上sicled的10倍,外量子效率约为0.18%。  1995

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22

牺牲ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响

本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响,在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。

  https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34

si衬底GaN基蓝光led钝化增透膜研究

在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。

  https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30

韩led厂加码GaN基板研发 抢led照明市场

韩国led厂商为了和中国业者竞争,首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN基板,封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy),强化产品效能、延长使

  https://www.alighting.cn/news/20141020/n335366513.htm2014/10/20 15:14:28

日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。

  https://www.alighting.cn/news/2011329/n797930941.htm2011/3/29 19:08:31

需求增长 带动GaN先进衬底出现爆发性增长

strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出,目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长,这将推动类似GaN和aln等先进衬底市

  https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00

tdi宣布量产4吋GaN磊外延片和aln磊外延片

美国化合物半导体衬底大厂technology and devices international inc.(tdi)日前宣布,该公司推出4英吋,约100毫米的GaN磊外延片和al

  https://www.alighting.cn/news/20070907/105476.htm2007/9/7 0:00:00

GaN基板白色led 可提高车前灯设计自由度

松下在“electronica 2014”上展示了用于汽车前灯的白色led。松下的白色led的特点是,蓝色led芯片是在GaN基板上制造的。与通常的蓝宝石基板相比,更容易提高电

  https://www.alighting.cn/news/20141120/110405.htm2014/11/20 19:21:03

砂岩装饰材料

6.com联系人:刘致坚艺术总监网站:http://www.goyaart.cn地址:广州市番禺区南村镇兴业路口宏信装饰材料城a119

  http://blog.alighting.cn/goyasand/archive/2008/10/10/672.html2008/10/10 10:51:00

led发光材料的特点

度的蓝色及纯绿色半导体芯片制造技术主要掌握在日本,美国等少数公司手中,造成价格比较昂贵。应用于显示屏的led发光材料有以下几种形式:   ①led发光灯(或称单灯)   一般

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120512.html2010/12/13 22:48:00

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