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而解释了器件的光衰减。 W.y.ho等人[16]通过研究直流大电流条件下退化的异质结led，发现距导带1.1ev处的深能级陷阱密度从2.7×1013cm－3上升到4.2×101
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d正在崛起，而最新的技术进步已把人们的目光再次聚焦于这一不起眼的发光二极管身上。 新一代的1W、3W和5Wled的输出是标准led输出的10～50倍，这使得在利用这些新型led进
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行放大以匹配1.25v的标准能隙基准电压，则当1a电流通过led时，电流感应电阻的功耗为1.25W。但其对整个控制环的影响不大。降低的rsns值大致抵消了增加的增益。对于增益asn
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出大功率ingan led，功率达1 W～2 W，是现有led的10倍。美国加州大学固态发光及显示中心计划在2007年前开发出发光效率为200lm／W的白色led。 3 白色le
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v； 电功率：pm ≥ 5 W（加散热片）； 光效≥17 lm/W； 热阻：rθ≤16℃/W（包括硅基板和铜热沉）； 3 电路结构设计 3.1 电路原理设计 电路原
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路设计。例如，已知输出电压稳定的12v直流电源以及3个功率为1W的led(需要340ma工作电流)，即可参考图1所示的电路及表1列出的材料清单进行设计。该设计可工作在11v至18v电
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出为0，从而使任一键盘输入向cpu的中断申请有效。 常用的键盘输入多采用4×4阵列式16键输入方式，如果需要显示则需要扩展芯片，增加了设备的体积和复杂性。1×8的8键输入，往
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v641620是hynix公司生产的4 banks×1m×16位的sdram芯片,单片hy57v641620存储容量为4组×16 m位（8 mb），支持自动刷新，16位数据宽度。
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一个i/o单元直接连接到一个i/o引脚。每个i/o都可编程为输入、输出和双向单元,并可根据所需要编程为锁存或寄存功能。每16个i/o cell分为一组。8个glb,16个i/
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