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型gAn：mg淀积厚度大于500A的niAu层，用于欧姆接触和背反射；第二步，采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层，露出n型层；第三步，淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层，芯片尺寸为1×
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115541.html2010/11/20 23:42:00
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115542.html2010/11/20 23:43:00
丝。nAno2通用模型保险丝据称是第一种满足iec 127-4规范的产品，其额定电压为125v,额定电流可为500mA、1A和1.6A. ptc可复位保险丝 ptc可复
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120526.html2010/12/13 22:55:00
+1850c,比其它公司同级？A品高600c,利用传统rf4印刷电路板封装时，周围环境温度400c范围内可以输入相当於1.5w电力的电流（大约是400mA）。所以lumileds
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
0.3A，为 1.89瓦，而led的功耗一般为2v×20mA, 仅有0.04瓦（40毫瓦），一个led指示灯取代白炽指示灯泡所用电能只有原来的2％，如果采用光强增大10
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00
灯也不适用于视频拍摄的用途。庆幸的是，led制造商已经着手通过采用如氮化铟镓(ingAn)等新材料来提升功率led的光输出。 图1：基于ncp5005的电感式led驱动电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延层和空气的反射系数差异较大导致的全反射问题。根据报道， gAn 和空气的反射系数分别是 2.5 和 1 。因此在 ingAn-gA
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134153.html2011/2/20 23:08:00
毁。 5. 驱动芯片的标称输出电流要求大于1.2-1.5A，作为照明用的led光源，1w功率的led光源其标称工作电流为350mA，3w功率的led光源其标称工作电流
http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2011/4/12/165043.html2011/4/12 16:34:00
楼体景观照明工程施工承包单位。沛县建都招标投标代理有限公司受沛县城市投资开发有限公司委托负责该工程的招标事宜。 一、招标工程概况： 1 工程名称：沛县新城区写字楼楼体景观照
http://blog.alighting.cn/cmjlaya/archive/2011/4/26/167241.html2011/4/26 9:56:00
及6片vtm. 相比其他vme系列电源系统, vme450的效率更高(85%), 机身更轻(2.4磅/1.1kg), 功率更大(达550w)。 军
http://blog.alighting.cn/haon318/archive/2011/4/27/167452.html2011/4/27 12:30:00
