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蓝光led光子晶体技术原理及制程详解

为回避日亚化学的蓝光led 加萤光粉制技术专利,各业者纷纷投入其它能达到散发出白光的led 技术,目前最被期待的技术是利用uv led 来达到白光的目的,但是,uv led 仍

  https://www.alighting.cn/resource/20131126/125078.htm2013/11/26 16:34:31

宽禁带半导体sic和zno的外延生长及其掺杂的研究

作为第三代宽禁带半导体材料,sic和zno由于其自身优异的性能一直是人们研究的热点。sic具有高的迁移率、优异的热稳定性和化学稳定性,在高频、大功率、耐高温、抗辐射等电子器件方

  https://www.alighting.cn/resource/20130427/125659.htm2013/4/27 15:02:15

itc将调查首尔半导体与日亚的专利纠纷

出的禁制令申请展开听证调查,调查对象为日本led大厂日亚化学工业(nichia corp.),调查产品为短波长半导体雷射(内建于高分辨率dvd播放机等消费电子产

  https://www.alighting.cn/news/2008114/V13682.htm2008/1/14 10:10:52

led用硅酸盐红色荧光粉的发展现状

展现状。硅酸盐基质红色荧光粉因其化学稳定性和热稳定性好、激发范围宽、发射峰强等优点在led用红色荧光粉中占有重要的地

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 11:09:07

日亚一审胜诉 亿光电子将提出上诉

我国台湾地区板桥地方法院在2007年10月16日就日本日亚化学(nichia)控告亿光电子(everlight)产品,判决亿光电子一审败诉,亿光及其法定代表因此将共同向日亚支

  https://www.alighting.cn/news/20071022/V2690.htm2007/10/22 10:27:42

日亚在韩控告首尔半导体led产品侵权

led照明技术供货商首尔半导体(seoulsemiconductor),宣布日本日亚化学工业(nichia)已于近日向韩国首尔中央地区法院提起诉讼,宣称首尔半导体用在白光led产

  https://www.alighting.cn/news/20071016/V2680.htm2007/10/16 9:52:42

led蓝宝石衬底研磨三部曲

led芯片研磨制程的首要动作即“上腊”,这与硅芯片的cmp化学研磨的贴胶意义相同。将芯片固定在铁制(lapping制程)或陶瓷(grounding制程)圆盘上。先将固态蜡均匀的涂

  https://www.alighting.cn/resource/20120918/126383.htm2012/9/18 17:17:39

日本旭化成将投产可杀菌的紫外线led

日本媒体日刊工业新闻12日报导,全球知名综合性化学制造大厂旭化成(asahi kasei)将在2014年兴建可量产具有杀菌效果的紫外线led的测试性产线,年产能虽不明,惟预估旭化

  https://www.alighting.cn/news/20131114/n041258247.htm2013/11/14 10:02:31

mbe低温生长gaas在器件应用上的回顾与新进展

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09

纳米硅薄膜复合阳极的绿色微腔式oled的研究

采用甚高频增强型等离子体化学气相沉积技术,通过优化薄膜的沉积条件制备出高性能的p-nc-si∶h薄膜材料(σ=5.86s/cm、eopt2.0ev).通过xrd测量计算出薄膜11

  https://www.alighting.cn/resource/20110908/127173.htm2011/9/8 11:53:05

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