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[转载]2011年gan led市场有望增长38% 达到108亿美元

ims research最新发布的“氮化季度led供需报告”中指出,2011年氮化(蓝/绿)led市场销量预计将增长49%至62亿个,销售额将增长38%至108亿美元,

  http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00

qinetiq订购mocvd生产氮化物功率器件

2007年11月27日,qinetiq向aixtron订购一台 6x2英寸ccs mocvd设备用于开发高性能应用的gan器件,新mocvd设备将安装于qineti在英国qmalv

  https://www.alighting.cn/news/20071128/117968.htm2007/11/28 0:00:00

标准和白光led的础知识与驱动

用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00

最新研发的氧化mosfet耐压超过1800v

纽约州立大学布法罗分校(university at buffalo) 宣布研制出击穿电压超过1800v的β-ga2o3 mosfet [ke zeng et al, ieee el

  https://www.alighting.cn/pingce/20180906/158309.htm2018/9/6 11:00:16

led照明迎来时机 稀有金属和铟或将受益

蜡烛、煤油灯、白炽灯之后,led将接棒照明时代。欧美等国家纷纷出台淘汰白炽灯的相关法规,白炽灯的生命进入倒计时的同时,也确立了led未来的照明地位。

  https://www.alighting.cn/news/2013731/n578154440.htm2013/7/31 11:07:41

siceo_2薄膜的发光特性

利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光峰。

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00

ganled溢出电流的模拟

通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:28:20

图形蓝宝石gan性能的研究

在相同的腐蚀温度下,通过控制对蓝宝石衬底的化学腐蚀时间,以研究其对gan光学性质的影响。测试结果表明:对蓝宝石衬底腐蚀50 min后,外延生长的gan薄膜晶体质量及光学质量最优,x

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

个人简介及近年主要工作成果

部(项目投资额1.5亿元),开发和生产第三代半导体材料氮化(gan)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列

  http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51

新纳晶王怀兵申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

导体材料氮化(gan)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05

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