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握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的GaN 基白光led 的结温和热阻进行了测
https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24
绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探
https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27
以GaN 基蓝光l ed 芯片为基础光源制备了大功率蓝光led ,并通过荧光粉转换的方法制备了白光led。对大功率蓝光和白光led 进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析。结
https://www.alighting.cn/resource/20060801/128938.htm2006/8/1 0:00:00
大功率led路灯与常规高压钠灯路灯不同的是，大功率led路灯的光源采用低压直流供电、由GaN基功率型蓝光led与黄色荧光粉合成的高效白光二极管，发光二极
https://www.alighting.cn/news/20110810/90405.htm2011/8/10 9:48:59
产的高科技企业。公司硅衬底led芯片创造性地使用硅代替蓝宝石或碳化硅作为衬底制造氮化镓基led器件，结合了具有自主知识产权的高效GaN外延技术和芯片技术，是目前全球唯一可以量产硅衬
http://blog.alighting.cn/207028/archive/2015/2/6/365492.html2015/2/6 10:18:24
足蓝宝石衬底图形化刻蚀、si衬底刻蚀以及GaN基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应
https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00
尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。这也意味着硅衬底的技术瓶颈几近突
https://www.alighting.cn/special/20160108/index.html2016/1/8 16:06:29
2016年1月8月，由南昌大学江风益教授等完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”获得国家技术发明奖中唯一一等奖，这也是江西自主创新成果首次获得国家技术发明奖一等奖。技术研
https://www.alighting.cn/news/20160418/139487.htm2016/4/18 9:40:06
2016年1月8日，南昌“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管(简称硅衬底led)”项目获国家技术发明一等奖;3月18日，市政府常务会审议通过《关于打造南昌光谷、促进led产业发
https://www.alighting.cn/news/20160421/139618.htm2016/4/21 9:38:01
该芯片仅1.1毫米，在电压低于3.1v电流350ma时发射功率达 614mw。面对全球液晶面板和照明系统对led芯片日益增长的需求，普瑞光电与东芝公司将进一步加快在这一领域的研发步
https://www.alighting.cn/pingce/2012521/n050140005.htm2012/5/21 16:53:28
