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料，也因此降低了生产成本，此外由于oled与tft lcd的发光源不同，因此也设有视角上的顾虑。 目前在oled的二大技术体系中，低分子oled技术为日本掌握，而高分子的ple
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00
i leds 与日本citizen等照明设备、led封装厂商，相继开发高功率led用简易散热技术，citizen在2004年开始样品出货的白光led封装，不需要特殊接合技术也能够将
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
「光子再迴圈」技术 日本sumitomo在1999年1月研制出znse材料的白光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜，通电后该薄膜发出的蓝 光与基板zns
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
格较高。 6、寿命 不同品质的关键是寿命，寿命由光衰决定。光衰小、寿命长，寿命长，价格高。 7、晶片 led的发光体为晶片，不同的晶片，价格差异很大。日本、美国的晶片较贵，一般台湾
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
d。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia（日亚）公司成功开发出二波长白光（基于蓝光单晶片衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白光）led并成
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00
高的数据移位时钟是显示屏获取高刷新率画面的基础。目前主流恒流源驱动芯片移位时钟频率一般都在15 mhz以上。 在led上游外延片、芯片生产上，美国、日本、欧盟仍拥有很大的技术优势，
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120565.html2010/12/13 23:09:00
璃、灯丝等易损和易烧部件，机械强度大，耐振动，耐冲击，寿命可达50000h以上。 led光源的明显优势已经引起荷兰、日本、美国等国学者的关注，尤其是近年来大功率led的研发成
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120855.html2010/12/14 21:42:00
底gan基led制造技术受到业界的普遍关注。 目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上gan基led专利技术，美国cree公司垄断了sic衬底上gan基led专利技术。因此，研
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
试标准。如2002年10月28日，美国lumileds公司和日本nichia宣布双方进行各自led技术的交叉授权，并准备联合制订功率型led标准，以推动市场应用。 2. 国内le
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120868.html2010/12/14 21:46:00
功率led由于芯片的功率密度很高，器件的设计者和制造者必须在结构和材料等方面对器件的热系统进行优化设计。目前gan基外延衬底材料有两大类：一类是以日本日亚化学为代表的蓝宝石；一
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