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gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？gan类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
用脉冲激光沉积(pld)方法在si(111)和蓝宝石衬底上制备的氧化锌薄膜,在不同的退火温度和不同的退火氛围中进行了退火处理.退火温度及退火氛围对zno薄膜的结构和发光特性的影响
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127191.htm2011/9/6 14:09:53
属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的p型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
采用低温ain作为缓冲层,在(1102)γ面蓝宝石和(0001)с面蓝宝石上分别生长了(1120)非极性α面和(0001)极性с面gan,用原子力显微镜和高分辨x射线衍射、光致发光
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127220.htm2011/8/31 16:26:57
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
研究了在分子束外延制备的aln/蓝宝石模板上采用金属有机物化学气相外延生长的非故意掺杂gan的材料性质.采用x射线衍射(xrd)、透射电镜(tem)和原子力显微镜研究了aln模板的
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127233.htm2011/8/30 13:29:11
行阳极氧化处理 特点： 1.采用美国cree 日本nichia原装led光源2.精心设计的散热，保证led光源的超长寿命3.最大化利用led的光通量，灯具效果大于90%4.优
http://blog.alighting.cn/rixinlighting/archive/2011/8/30/234255.html2011/8/30 9:37:00
http://blog.alighting.cn/rixinlighting/archive/2011/8/30/234253.html2011/8/30 9:35:00
http://blog.alighting.cn/rixinlighting/archive/2011/8/30/234251.html2011/8/30 9:33:00
